第四代半导体烧结银

加压烧结银AS9385工艺流程：

1 清洁粘结界面

2 界面表面能太低，建议增加界面表面能

3 粘结尺寸过大时，建议一个界面开导气槽

4 一个界面涂布烧结银时，涂布的要均匀

5 另外一个界面放烧结银上时，建议加一点压力到上界面压一下

6 预烘阶段：150度20-30分钟，界面是铜的基底建议氮气保护（金或者银除外）

7 预压阶段：150度加压0.5-1MPa，时间为：1-3秒；

8 本压阶段：220-280度加压10-30MPa，时间2-6分钟；

9 烧结结束时，建议在烘箱中逐步降温到室温再把器件拿出。