系统概述:
IGBT作为目前主流的电力半导体开关器件,已广泛应用于电力电子相关行业,一台轻巧便携的测试仪就显得尤为重要。便携式IGBT测试仪,是一种全新的功率半导体器件参数测试仪器,可用于额定电流在2-100A的IGBT和MOS管主要静态参数的测试。仪器与配套电脑连接使用,通过友好人机界面操作,便于各测试参数的组合、数据结果以表格形式呈现,具有使用便捷、测试精度高等优点,适合于各测试器件使用现场及产线维护场合使用。
测试范围:
栅极 发射极 |
Vges:1-40V 分辨率0.1V Iges:0.1-10uA 分辨率0.01uA Vce:0V |
集电极 发射极 |
Vces:100-3000V 分辨率10V Ices:100uA-5mA 分辨率10uA |
栅极发射极阈值电压 |
Vge(th):1-10V 分辨率 0.1V |
集电极/发射极 饱和电压 |
Vce(sat):0.2-5V 分辨率0.01V Ice:10-100A 分辨率1A |
二极管 压降 |
VF:0.01-5V 分辨率0.01V IF:1-100A 分辨率r 1A Vge:0V Vces:100 |
二极管反向最大可恢复直流电压 |
Vces:100-3000V 分辨率10V Ices:100uA-5mA 分辨率10uA |