半导体 分立器件测试系统

 系统概述

设备的扩展性强，通过选件可提高电流、电压以及测试品种的范围。支持电压电流阶梯升级至2000V，1250A。采用了脉冲测试法，脉冲宽度为美军规定的300uS。在PC窗口提示下输入被测器件的测试条件点击即可完成测试任务。系统采用带有开尔文感应结构的测试插座，自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降，保证测试结果准确可靠。

 

基础配置

 

技术参数	ENJ2005-A型	ENJ2005-B型
主极电压	10mV-2000V	10mV-2000V
主极电流	100nA-50A	100nA-50A
扩展电流	100A、200A、400A、500A	250A、500A、750A、1000A、1250A
电压分辨率	1mV	1mV
电流分辨率	100nA	10nA(可扩展至10pA)
测试精度	0.5%+2LSB	0.2%+2LSB
测试速度	0.5mS/参数Parameter	0.5mS/参数Parameter

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

测试范围

√	√	测试器件
√	√	二极管  /  DIODE
√	√	绝缘栅双极大功率晶体管  /  IGBT
√	√	晶体管  /  NPN型/PNP型
√	√	MOS场效应管  /  MOS-FET
√	√	J型场效应管  /  J-FET
√	√	可控硅  /  SCR
√	√	双向可控硅  /  TRIAC
√	√	达林顿列阵  /  DRALINTON
√	√	光电耦合  /  OPTO-COUPLER
√	√	稳压、齐纳二极管  /  ZENER
√	√	三端稳压器  /  REGULATOR
√	√	双向触发二极管  /  DIAC
	√	硅触发可控硅  /  STS
	√	光电开关  /  OPTO-SWITCH
	√	光电逻辑  /  OPTO-LOGIC
	√	金属氧化物压变电阻  /  MOV
	√	固态过压保护器  /  SSOVP
	√	压变电阻  /  VARISTOR
	√	继电器  /  RELAY

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

测试参数

漏电参数：IR、ICBO、LCEO/S/X、IDSS/X、IDOFF、IDRM、IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、IR(OPTO)

击穿参数：BVCEO BVCES(300uS Pulse above 10mA)BVDSS、VD、BVCBO、VDRM、VRRM  VBB、BVR、VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、BVGSS、BVGKO

增益参数：hFE、CTR、gFS

导通参数：VCESAT、SAT、VBEON、VF、VT、VT+、VT-、VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VGETH、VTM、VSD、IDON、VSAT、IDON、Notch=IGT1、IGT4、ICON、VGEON、VO(Regulator)、IIN(Regulator)

混合参数：Rdson、Gfs、Input Regulation、Output Regulation

关断参数：VGSOFF

触发参数：IGT、VGT

保持参数：IH、IH+、IH-