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驱动芯片BTD25350
倾佳电子专业分销BASiC基本碳化硅SiC功率MOSFET,BASiC基本碳化硅MOSFET模块,BASiC基本单管IGBT,BASiC基本IGBT模块,BASiC基本
2023-12-22 22:28
[广东]
220v转24v 300mA非
隔离
AC-DC电源芯片降压电路
AH8699B是一款高效的220V转24V 300mA非
隔离
AC-DC电源降压电路芯片。该芯片采用了先进的降压转换技术,能够将输入的220V交流电转
2024-07-19 16:56
[广东]
220V转5V250mA交流转直流非
隔离
芯片-AH8698B
AH8698B是一款非
隔离
型交流转直流芯片,主要用于将高电压的交流输入(220V)转换为低电压的直流输出(5V,最大输出电流400mA)。
2024-07-19 16:56
[广东]
AC220V转DC5V 100MA非
隔离
芯片-PM1132
PM1132是一款非
隔离
型、高集成度且低成本的PWM功率开关,适用于降压型电路。PM1132采用高压单晶圆工艺,在同一晶片圆上集成有500
2024-07-19 16:56
[广东]
HA5836AE高精度的非
隔离
降压型LED控制芯片
HA5836AE高精度的非
隔离
降压型LED控制芯片1、概述HA5836AE是一款高精度的非
隔离
降压型LED控制器,防闪烁,适用于85V~265V全电压
2016-10-22 15:01
[广东]
WS3418 有源PFC非
隔离
降压型LED驱动器
WS3418 有源PFC非
隔离
降压型LED驱动器1、特点■ 高PF值,低THD■ 动态温度补偿■ 内置500V/650V功率MOSFET■ 无需辅助线圈供电■
2016-09-27 14:55
[广东]
降压型LED驱动,非
隔离
低功率因素WS9420
非
隔离
低功率因素WS94201、特点● No-CAPTM专利的控制拓扑● 启动时间低至0.1ms● LED 电流精度保持在5%以内● 内部集成500V功率
2016-09-27 14:28
[广东]
稳先微非
隔离
高功率因素WS3418
稳先微非
隔离
高功率因素WS3418一、特点● 内部对EMI辐射干扰进行了优化设计● 内置650V功率MOSFET● 高PF值,低THD● 谷底开关,
2016-09-14 11:36
[广东]
非
隔离
低功率因素WS7520
非
隔离
低功率因素WS7520特点● 最为精简的外围线路● 内部集成500V功率管● 启动时间低至0.1ms● 内置智能温控功能● 内置过温保
2016-09-07 16:41
[广东]
非
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低功率因素WS3441A
非
隔离
低功率因素WS3441A特点● 临界模式工作,无需电感补偿● 内置500V 功率MOSFET● 芯片超低工作电流,无需辅助绕组供电● 高
2016-09-07 16:38
[广东]
WINSEMI非
隔离
低功率因素WS9445P
1、特点● 临界模式工作,无需电感补偿● 内置600V 功率MOSFET● 栅极驱动,无需辅助绕组供电● 高达3%的LED 电流精度● 高达93%
2016-09-07 15:40
[广东]
WINSEMI非
隔离
低功率因素WS9442P
1、特点● 临界模式工作,无需电感补偿● 内置500V 功率MOSFET● 栅极驱动,无需辅助绕组供电● 高达3%的LED 电流精度● 高达93%
2016-09-07 15:37
[广东]
WINSEMI非
隔离
低功率因素WS3443
1、特点● 临界模式工作,无需电感补偿● 内置500V 功率MOSFET● 芯片超低工作电流,无需辅助绕组供电● 高达3%的LED 电流精度●
2016-09-02 10:38
[广东]
WINSEMI非
隔离
低功率因素WS3442
一、特点● 临界模式工作,无需电感补偿● 内置500V 功率MOSFET● 芯片超低工作电流,无需辅助绕组供电● 高达3%的LED 电流精度
2016-09-02 10:37
[广东]
WINSEMI非
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低功率因素WS3441
WINSEMI非
隔离
低功率因素WS34411、特点● 临界模式工作,无需电感补偿● 内置500V 功率MOSFET● 芯片超低工作电流,无需辅助绕组
2016-09-02 10:34
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