以碳化硅、氮化镓、砷化镓和磷化铟为代表的化合物半导体材料，相比第一代单质半导体，在高频性能、高温性能方面优异很多，发展前景广阔。其中，以GaN、SiC为代表的半导体材料由于具备禁带宽度大、临界电场高、电子饱和速率高等优势，被广泛应用到汽车电力电子、5G射频、光通信和探测器等领域。
随着化合物半导体器件的日益普及和广泛应用，化合物半导体封装和模块将向着低损耗、低感量、高功率密度、高散热性能、高集成度、多功能等方向发展，未来将衍生出与硅基封装技术和产品形式不同的发展路线，先进封装材料、可靠性技术都在不断的发展提升。
封装是功率半导体产业链中不可或缺的一环，主要起着安放、固定、密封、保护芯片，以及确保电路性能和热性能等作用。采用合理的封装结构、合适的封装材料，以及先进的封装工艺技术，可以获得良好的散热性能，确保高电压、大电流的功率器件的正常使用，并能在工作环境下稳定可靠地工作。此外，封装对于功率器件乃至整个系统的小型化、高度集成化及多功能化起着关键的作用。为了提高功率半导体器件的性能，必然会对封装提出更高的要求。
半导体产业网、第三代半导体产业联合励展博览集团，在NEPCON ASIA 2022 期间举办为期两天的“2022化合物半导体器件与封装技术产业高峰论坛”。我们将依托强大背景及产业资源，致力于先进半导体技术推广、创新应用及产业链间的合作，为科研机构、高校院所、芯片面板及终端制造，上游及材料设备搭建交流协作的桥梁。大会将聚焦化合物半导体器件与封装技术最新进展，针对SiC功率器件先进封装材料及可靠性、硅基氮化镓功率器件、VCSEL器件及封装、车用GaAs激光雷达，化合物半导体可靠性测试及方法等等，邀请产学研用资多领域优势力量，探讨最新进展，促进化合物导体器件与封装技术发展。
NEPCON ASIA 2022将以“跨界+芯+智造”为创新理念，展会将汇聚1,200个企业及品牌参展，展示电子元器件、PCBA制程、智能制造、 EMS服务、半导体封测等相关的国内外设备新品及先进技术解决方案。与同期多展联动，超140,000㎡展示规模，带来消费电子、家电、工控、通信通讯、汽车、触控显示、新能源、医疗器械、光电等领域跨界商机，绽放亚洲电子工业新活力。
此外，同期将举办超30场跨国、跨界活动，覆盖PCBA制程、半导体封装、工业机器人、智能仓储与物流、机器视觉、智慧工厂、工业互联网、激光、3C、家用电器、通信、汽车、5G、物联网、人工智能、AR/VR、新能源、医疗器械、照明等热门话题，创新打造多元化国内、外商务配对社交机会，一站式捕捉亚洲跨界商贸网络。
会议主题：协同创新 产业共赢
会议时间：2022年12月1-2日
会议地点：深圳国际会展中心（宝安）
主办单位：
中国国际贸易促进委员会电子信息行业分会
励展博览集团
半导体产业网
半导体照明网
承办单位：
北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
与会单位：
苏州锴威特、英诺赛科、基本半导体、泰科天润、PI、长飞光纤、日月光、安靠、长电科技、瞻芯电子，华天、纳维科技、苏州晶湛、百识电子、三安集成、通富微、大族激光、紫光、力成科技、矽品、中微、上海微电子、阳光电源、北方华创、南京大学、复旦大学、中科院苏州纳米所、江苏三代半研究院、东南大学、国星光电、京元电子、联合科技、甬矽电子、无锡华润安盛、颀邦、晶方半导体、紫光、环旭、苏州固锝、ARM、Cadence、士兰微、Mentor、Synopsys、Silicon Image、Ceva、eMemory、comsol、ansys、abaqus、Ansys 、富士康、浪潮华光、伟创力、捷普电子、和 硕、广达上海、贝莱胜电子、恒诺微电子、华泰电子、环旭、TDG、中电科、杭州长川科技、ASM、海思、K&S、Disco、苏州艾科瑞思、泰瑞达、科利登Xcerra、美国国家仪器NI、Chroma、北京华峰测控、精测电子、TRI、Hilevel、KingTiger、TEV、TELCO、是德科技、罗德施瓦茨、铼微半导体、利之达、老鹰半导体，米格实验室，国星半导体，南方电网，国家电网，深圳大学，北大深圳研究院，南方科技大学、西安电子科技大学、华为和比亚迪等
日程安排（拟）：
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时间 |
议题 |
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12月1日 |
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09:00-09:55 |
签到 |
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09:55-10:00 |
嘉宾致辞 |
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10:00-10:20 |
化合物半导体功率器件及封装技术现在及应用分析 |
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10:20-10:40 |
内绝缘TO-220封装碳化硅肖特基二级管技术 |
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10:40-11:00 |
氮化镓微波功率器件的研究与应用 |
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11:00-11:20 |
单双面银烧结技术在SIC功率模块封装中的应用 |
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11:20-11:40 |
GaN高电子迁移率晶体管技术 |
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11:40-12:00 |
SiC MOSFET结温检测方法研究 |
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12:00-13:30 |
展区参观、交流，午餐 |
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13:30-13:50 |
VCSEL器件技术进展及其在数据中心与汽车激光雷达中的应用 |
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13:50-14:10 |
高压功率器件封装绝缘问题及面临的调整 |
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14:10-14:30 |
万伏级4H-SiC基IGBT器件技术 |
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14:30-14:50 |
第三代半导体装备：从器件制造到性能表征 |
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14:50-15:10 |
高可靠性功率系统集成的发展和挑战 |
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15:10-15:30 |
第三代半导体器件封装用陶瓷基板技术研发与产业化 |
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15:30-15:50 |
车规级功率器件先进封装材料及可靠性优化设计 |
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15:50-16:10 |
用于功率器件的关键设备技术/等离子去胶设备技术 |
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12月2日 |
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10:00-10:20 |
先进GaAs/InP半导体激光器及封装（TBD） |
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10:20-10:40 |
半导体设备技术国产化 |
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10:40-11:00 |
用于新能源汽车的先进功率器件的挑战与优化思路 博世/芯聚能/比亚迪/派恩杰 |
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11:00-11:20 |
面向宽禁带半导体器件的高空间/时间分辨率晶圆级热表征技术进展 |
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11:20-11:40 |
8寸硅基氮化镓功率器件产业化进展 |
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11:40-12:00 |
第三代半导体功率器件可靠性测试方法和实现 |
备注：报告嘉宾正在陆续确认中，欢迎大家提交更多主题方向报告，共同促进第三代半导体产业的繁荣发展。提交报告、现场演讲、参会参展、对接合作、进实名交流群等欢迎咨询下方联系人。
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