2023 先进IGBT及第三代半导体功率电子技术与应用论坛
7月20日-21日
上海世博展览馆·NEPCON论坛区
“双碳”战略带来的新能源增量需求，以及国产替代的需求，也会为国内市场带来巨大增长空间，在新能源汽车、智能电网、消费电子、信息通讯、轨道交通、光伏、风电、工控等领域的持续渗透，为我国打开了巨大的市场。随着近年逐步开始商业化和产业化，功率半导体行业已经迎来了新的发展赛道，并逐步形成与行业应用紧密相关的新发展趋势。尤其是IGBT及第三代半导体功率器件技术与应用。
为推动IGBT及第三代半导体功率电子技术与应用，半导体产业网、第三代半导体产业联合中国国际贸易促进委员会电子信息行业分会、励展博览集团等单位，将定于7月20-21日在NEPCON China 2023 电子展(第三十一届国际电子生产设备暨微电子工业展览会)期间，在上海世博展览馆举办“2023 先进IGBT及第三代半导体功率电子技术与应用论坛”。随着新材料技术的不断突破和在各个领域的广泛应用,形成了“一代材料、一代工艺、一代装备、一代产品、一代产业”。届时我们将邀请到产业链知名企业专家代表，聚焦前沿技术进步与产业创新应用，畅谈产业链之间的协同创新与合作，携手向前，共享共赢。
主办单位：
半导体产业网、第三代半导体产业
中国国际贸易促进委员会电子信息行业分会
励展博览集团
承办单位：
北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
报告议题（拟）：
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国产IGBT技术进展及市场现状 |
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碳化硅肖特基二级管技术 |
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IGBT模块封装技术 |
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助力集成商打造半导体行业智能物流解决方案 |
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高压功率器件封装绝缘问题及面临的调整 |
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单双面银烧结技术在功率模块封装中的应用 |
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第三代半导体功率器件封装技术现状及挑战 |
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IGBT的真空焊接技术 |
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超高压碳化硅功率器件 |
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碳化硅离子注入技术 |
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第三代半导体功率器件可靠性测试方法和实现 |
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IGBT芯片设计 |
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车规级IGBT 与 碳化硅IGBT 技术趋势 |
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基于SiC功率芯片的高功率密度电驱系统 |
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SiC功率器件先进封装材料及可靠性优化设计 |
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车规级氮化镓功率器件技术 |
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用于功率器的关键设备技术/等离子去胶设备技术 |
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IGBT模块散热及可靠性研究 |
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碳化硅芯片设计 |
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