同时，该公司还成功开发出了可将蓝色光转换成红色与绿色光的新型荧光材料。过去，大多先使用将蓝色光转换成黄色光的荧光材料，得到“蓝+黄”色光，然后再形成接近于白色的光。但是，假如使用这次的新型荧光材料，就能利用“红+绿+蓝”3原色形成白色。在白色LED厂商中，尽管有的已经上市利用这种方法产生白色光的产品，但作为一家材料厂商而开发成功同类荧光材料则尚属全球首例。该公司的目标是，通过将上述开发成果有机地结合起来，使公司成为高亮度白色LED领域全球最大的材料厂商。
实现均匀的缺陷密度分布
这次开发的GaN底板，其结晶缺陷密度约为107个/cm2。从该公司的开发成果来看，有的甚至号称达到了104～107个/cm2，因此新GaN底板的缺陷密度也说不上太低。但新底板有一个“全球独一无二”（三菱化学）的特点、即结晶缺陷密度在整个底板表面中都是均匀的。
其他公司大都首先在生长GaN层时形成条纹状结构，然后再使用横向选择生长技术，使结晶缺陷集中到条纹之间。这样一来，就会在条纹上形成缺陷非常少的部分。不过，这种方法在底板上形成激光元件时，必须准确地控制形成位置，以免其发光部位偏离结晶缺陷少的部位。因而，不仅生产工艺复杂，而且还会导致成品率下降等问题。假如结晶缺陷密度是均匀的，就不再需要这种特殊处理。
此次，该公司利用自主开发的HVPE法生产底板。不过，在用于生长GaN层的母底板材质方面，公司仅表示“是普通材质”。对于用来形成均匀的GaN结晶的前期处理方法等进一步的情况则丝毫未予透露。
另外，该公司目前正在同日本东京电波公司和东北大学多元物质科学研究所进行合作，联手进行GaN块状单结晶（Bulk Single Crystal）生长技术的研究。据称，这次公布的开发成果与此同步进行，并对此起到了推动作用。（记者：原田 卫）
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