| 中国半导体照明网首页 > 资讯中心 > 热点快报 > 正文 | |
| 美国能源部为半导体照明研究提供2千万美元 | |
| 时间:2004-8-26 18:33:20 来源: 作者: 浏览 | |
| 【字体：大 中 小 简 繁】【收藏】【关闭】 | |
继6月2日美国能源部（DOE）设800万美元基金支持半导体照明研发外，8月6日，美国能源部又选择11个半导体照明研究项目进行资助。全部2千万美元经费中近一半的经费用于化合物半导体材料的研究，其它部分将用于有机材料的研究。在六个化合物半导体项目中，获得最多资助（420万美元）的项目将集中用于开发蓝光激发白光用的荧光粉。 位于波士顿的Cabot Superior MicroPowders的荧光粉课题组，预期使目前LED光源的外量子效率增加一倍，达到60%，这一成果将使器件的发光效率超过80lm/W成为可能。 能源部资助的其它项目包括使用氢化物气相外延（HVPE）制备GaN基LED，波士顿大学的研究者将获得120万美元。 同时，Sandia National Laboratories的两个项目获得155万美元，将用于开发微腔晶体LED和通过红外测量法精确控制温度以改进InGaN绿光LED的外延。 加洲大学圣地亚哥分校将获得120万美元以提高氮化物LED异质结的内量子效率，同时，佛罗里达大学得到相同的经费研究ZnO基的器件。目标是显著提升商业化MOCVD外延片的产量，进而获得廉价的白光LED。 | |
|