不过，离实用化尚有相当长的时间。此次发表仍处于制作实物元件，对其部分特性进行测试的阶段。今后准备改善其量子效率，最终要使其超过基于化合物半导体的光敏二极管。这次的透镜材料由于使用了Ag（汞），因此存在着无法采用标准CMOS工艺的课题。作为光敏二极管的用途，所设想的是光通信用收发器。要想作为光布线系统而内置于LSI，还必须开发同样可集成于LSI的发光元件等，因此该公司认为今后还需要5至8年的时间才能达到实用水平。
光分合器的边长已缩小至过去的1/1000
相当于技术和的导光管和光分合元件属于弯曲光，或不需电源即可实现波长复用和分离的元件。NEC成功开发出了边长缩小至过去的约1/1000，面积缩小至1/1000000的此类元件，并进行了展示（图3、图4）。比如，这次的光分合元件尺寸大约为130μm见方。过去则为3cm～10cm见方。“已经能够集成于LSI芯片之上”（NEC）。
这种小型化“是通过将作为光通道的导光管内芯与包裹该内芯的金属包覆层的折射率差扩大到接近于2而实现的”（NEC基础·环境研究所 量子信息技术开发小组主任研究员五明 明子）。折射率差相当于水路中的“沟深”。换句话说，由于沟变深了，因此即使导光管弯得比较厉害，光也不会从沟里溢出来。
目前的课题是光衰减率约为2.5dB/mm，“远远大于过去的光分合元件”（五明）。其原因在于扩大内芯与金属包覆层的折射率差之后，内芯与包覆层之间微小的凹凸就会使光发生散射的概率大大增加。要想解决这一问题，必须在制法上下功夫，比如进一步提供芯壁的平滑度等。据NEC称，上述研究开发工作得到了日本文部科学省、新能源·产业技术综合开发机构（NEDO技术开发机构）和总务省等部门和单位的扶持，力争5年后达到实用水平。
除此之外，NEC还展示了光控制技术。这就是采用该公司与NEDO技术开发机构等单位共同开发的制造技术——“AD（Aerosol Depositon）法”的超小型高速光调制技术。
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