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| 中村修二团队研制出第一款无极性和半极性GaN LED | |
| 时间:2006-5-26 22:03:55 来源:中国半导体照明网 作者: 浏览 | |
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2006年5月24日，中村修二博士与加州大学巴巴拉分校（UCSB）研究小组宣布制造出第一款无极性（non-polar）和半极性（semi-polar）GaN 衬底LED。中村博士在法国蒙彼利埃举行的国际蓝光激光器和LED研讨会（ISBLLED）上发表演讲，公布了对此GaN衬底LED的测试结果。中村解释无极性GaN衬底的LED并非是最优化的，因此输出功率显著低于标准LED，亮度及效率不尽人意，但无极性和半极性GaN仍有提高GaN LED效率的潜力。 | |
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