图：从左起为近紫外LED芯片的发光、绿色LED芯片的发光以及蓝色LED芯片的发光。
昭和电工日前开始量产可发出波长约400nm的近紫外光的发光二极管（LED）芯片。设想用于面向手机背照灯光源及照明设备等由近紫外芯片与萤光体材料组合成的白色LED。芯片发出的近紫外光的功率，在0.3mm见方的芯片采用倒装法（Flip Chip）封装时为14mW。据说通过将该芯片与萤光体材料组合得到的白色LED“已经达到了作为普通照明所需要的性能”（该公司）。紫外LED芯片将作为裸芯片(Bare Chip)供应。芯片的外形尺寸对应不同用途，除0.3mm见方的标准芯片尺寸外，还可生产尺寸更小或更大的产品。
近紫外LED芯片通过与红色及绿色的萤光体材料，以及红色萤光体材料组合，可实现色表现性高的白色LED。此前美国Cree公司及丰田合成一直在供应近紫外LED芯片，此次昭和电工也加入到了供应厂商的行列。该公司为了得到高输出功率的近紫外光，在此次的芯片中采用了新能源产业技术综合开发机构（NEDO）“高效率电光转换化合物半导体开发（21世纪光明计划）”项目（已于2003年3月结束）曾大力开发的晶体外延生长技术。
昭和电工表示，除此次的近紫外光LED芯片以及前不久宣布投放市场的绿色LED芯片之外，2004年11月开始上市的蓝色LED芯片也已投放了新产品。据说此次的蓝色LED芯片采用面朝上（Face-up）方式的封装也可获得12mW的光输出功率。而原来的蓝色LED芯片如果不使用可高效获取芯片发光的倒装法封装，就无法获得相同的光输出功率（参阅本站报道）。(记者：大久保 聪)
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