| 中国半导体照明网首页 > 产研咨询 > OLD技术前沿 > 正文 | |
| Anonex与Sandia国家实验室推出A-Sapph 衬底 | |
| 时间:2006-12-5 22:14:27 来源:中国半导体照明网 作者: 浏览 | |
| 【字体：大 中 小 简 繁】【收藏】【关闭】 | |
2006年11月29日，美国加州帕萨迪纳市的Aonex Technologies推出其新型A-Sapph衬底，并预言将引领GaN基光学器件用大尺寸晶片的高产时代。 A-Sapph衬底由在多晶AlN支撑衬底上键合一薄层(< 500 nm）单晶兰宝石制备而成，为MOCVD 或 HVPE法提供了标准的兰宝石生长表面。经Sandia国家实验室初步研究，A-Sapph的支撑衬底与GaN外延层之间热膨胀系数匹配良好，降低了生长过程中发生衬底弯曲的可能性。而减少晶片弯曲是大规模量产GaN器件、增大晶圆尺寸从而降低高亮LED及蓝紫外激光器成本的一个关键问题，这意味着Aonex将能生产更大尺寸的衬底。 Aonex正与Sandia 国家实验室合作使用MOCVD法在A-Sapph 衬底上生长GaN外延层，并使用Sandia开发的X射线衍射（XRD）缺陷估计技术分析GaN的生长。迄今为止，XRD显示由A-Sapph上生长的GaN外延的缺陷密度是传统制备方法的60%。研究员已制备出430 nm（蓝光）、 InGaN多量子阱结构，并发现其拥有相当的光致发光性，这表明A-Sapph在制备氮化物LED器件方面具有显著的优势。Aonex还称其衬底拥有更高的热传导率、更好的温度、工艺一致性，也更高产。另外，使用A-Sapph衬底无需激光剥离即可制备垂直LED器件。 除此之外，Aonex还制造出GaN衬底的替代品-A-GaN衬底。A-GaN衬底则是通过在多晶AlN支撑衬底上键合单晶GaN薄膜制备而成的。 | |
|