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| TDI在6英寸蓝宝石衬底上成功生长GaN外延层 | |
| 时间:2004-12-9 21:37:22 来源: 作者: 浏览 | |
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凭借美国导弹防御机构（MDA）的SBIR基金，美国马里兰州TDI公司向人们展示在芝加哥Rubicon科技公司提供的6英寸蓝宝石衬底上长出25微米厚的GaN外延层这一成果。该材料的成功生长表明6英寸GaN外延材料可以通过TDI公司专利的混合气相外延（HVPE）设备及工艺大量生产。对于氮化物而言，该成果为人们打开了一个更广阔的视野，即更大尺寸的晶片已经能够生长出来。目前，大多数蓝光LED生产也从最初的2英寸衬底逐渐向3英寸、4英寸发展。 TDI的总裁说：“从普遍意义而言，半导体产业的主流方向是通过增大晶片尺寸来降低生产成本、提高器件性能以及产量。我们为把氮化物技术推向更有竞争性的地步而感到自豪。美国的商业﹑能源和国防部也通过几个R&D项目为新一代GaN外延技术的发展提供了财务支持。 | |
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