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——半导体照明前沿关键技术培训研讨会成功召开
2008年1月24日，由国家半导体照明工程研发及产业联盟主办，中国科学院半导体照明研发中心协办的“半导体照明前沿关键技术培训研讨会”在北京中科院半导体研究所举行。国家半导体照明工程研发及产业联盟研发执行主席、中科院半导体研究所李晋闽所长，联盟吴玲秘书长、阮军副秘书长参加了会议。
近年来半导体照明技术逐渐进入通用照明市场，为了争夺未来巨大的照明市场，半导体照明前沿技术的开发受到国际产业与研发界的广泛关注。我国是国际照明产品大国，国家半导体照明工程极大地促进了我国半导体照明技术和产业的发展。特别是应用领域的多方牵引，极大激发了业界对于上中游技术研发的积极性。为了突破产业化的共性关键技术，形成自主知识产权，促进我国人才队伍的培养，结合“十一五”863计划“半导体照明工程”重大项目的阶段性进展，应国家半导体照明工程研发及产业联盟常务理事单位—中国科学院半导体研究所倡议，联盟邀请国内从事半导体照明领域研发的著名专家和部分重大项目课题负责人，就有关实现高量子效率的新型外延技术以及高效大功率LED关键工艺技术的部分问题组织专题培训，并围绕半导体照明存在的瓶颈问题及未来关键技术的发展趋势，以及专利分析等进行培训及研讨，为企业提供技术信息和支持，辐射半导体照明研发成果、搭建产学研各种信息资源交流的平台。
此次会议汇聚了全国半导体照明行业技术负责人和技术骨干代表及半导体照明专业学生120余人，分别来自北京、上海、山东、大连、广州、杭州、福建、天津、河北、深圳、武汉等地区，包括大学、研发机构、企业等30余家单位，特别是国内主要的外延厂商均有代表参会。
中科院物理研究所、清华大学、北京大学、中科院半导体研究所、有研稀土新材料股份有限公司等各单位的专家对量子阱结构、外延生长、图形衬底、垂直结构、芯片关键工艺、白光LED和荧光粉技术相关专利及半导体照明研发平台建设问题做了深入细致的报告。参会代表们就材料外延、芯片工艺中有关前沿技术和科学提出了很多有深刻见地和意义的问题，并对这些问题进行了热烈讨论。研讨会使大家对国内外半导体照明前沿关键技术现状及发展趋势有了更清晰的认识，为其目前的研究工作及制作工艺中存在的问题提供了全新的思路和参考。会上会下大家建立了广泛积极的联系，为下一步更深入的交流合作打下基础。
培训研讨会期间，参会代表还参观了中科院半导体照明研发中心。代表们对中科院半导体照明研发中心建设给予高度评价，认为平台具有先进性，研发成果对产业研发方向和关键技术突破具有指导性；依托平台开发的可扩展MOCVD设备、高效大功率LED实现70lm/W、深紫外材料等研究受到关注。对平台与其他研发单位和企业开展的合作给予高度评价，研发单位和产业对平台的期望和平台建设方向产生强烈共鸣。上海蓝宝光电、武汉迪源光电、北京大学、中山大学、等提出了一些更深入的产学研合作方案。
联盟研发执行主席、中科院半导体研究所李晋闽所长在总结发言中指出，这种产、研、学三位一体形式的培训研讨会会非常值得推广，期待联盟能经常举行这种类型的培训研讨会，以推动我国半导体照明领域的进一步发展。李晋闽所长强调，半导体体照明和国际关注的节能减排问题息息相关，是关系到国家发展、关系到每一个人的大事，是对我们的机遇和挑战，希望也相信半导体照明在新的一年里有进一步的突破！
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