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图1：采用氧化物半导体IGZO材料的TFT12.1英寸OLED面板
韩国三星SDI开发出了采用氧化物半导体IGZO（In-Ga-Zn-O）材料的TFT12.1英寸OLED面板，并在“SID 2008”上公布了技术细节（演讲序号：3.1）。该面板在玻璃底板上形成了采用氧化物半导体的有源矩阵型TFT阵列和OLED元件。
此次开发的OLED面板的像素为1280×768像素（WXGA），分辨率为123ppi（图1）。亮度为300cd/m2，对比度为2万：1。采用底部发光结构，光从TFT底板侧取得。OLED材料采用的是低分子材料。但红色用磷光材料，绿色和蓝色采用荧光材料。
图2：所开发产品的面板结构
TFT的掩膜数量为7片（图2）。像素间距为69μm×207μm，像素电路由2个TFT和1个电容器构成。采用底栅结构，栅极、源极及漏极的电极材料采用Mo，栅极绝缘膜采用SiOx/SiNx，并使用了现有的光刻制造技术。IGZO TFT的迁移率为17.2cm2s，开关比为108以上，亚阈值斜率（S值）为0.28V/decade。
图3：与非晶硅及低温多结晶硅的比较
三星SDI指出，采用IGZO的TFT其优势在于可以着手量产大尺寸玻璃底板（图3）。使用此次的TFT制作方法，甚至可以支持第8代底板。
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