德国爱思强公司研发副总裁Michael Heuken 教授做了题为《MOCVD技术最近研究》的报告。
Michael Heuken教授在报告中就目前引起关注的LiAlO2衬底上GaN的生长研究进展做了介绍。报告详细介绍了氮化物时间和生长条件对以金属气相外延生长的GaN晶片m面衬底和光学特性的影响。教授在报告中称，这项研究均是LiAlO2衬底RMS表面粗糙值0.3 nm条件下，在AIXTRON公司的金属气相外延反应室中进行的。
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