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| 应用于垂直结构GaN发光二极管上的通孔 | |
| 时间:2008-7-18 16:33:52 来源:CSA 作者:韩国Epivalley公司战略策划部 Dong-Wook Noh 博士 浏览 | |
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韩国Epivalley公司战略策划部副总裁 Dong-Wook Noh 博士所做报告题为《应用于垂直结构GaN发光二极管上的通孔》。 Dong-Wook Noh博士在报告中介绍了垂直结构GaN发光二极管上的通孔结构对光效提高的作用。博士在报告中称，这种结构在更低的正向操作电压下可将LED光效提高12.5%，而在500小时可靠性测试下，光效变化仅仅0.8%，电压变化仅仅1.5%。 | |
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