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| 深紫外线氮化物LED的应用与挑战 | |
| 时间:2009-10-16 10:14:36 来源:中国半导体照明网 作者: 浏览 | |
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德国柏林工业大学固态物理研究院教授Michael Kneissl在2009年10月15日至16日举办的“材料、器件与设备分会”上做了题为《深紫外线氮化物LED的应用与挑战》的报告，Michael Kneissl在该报告上研讨最近在开发InAl-GaN基紫外线LED上所取得的最新进展，并讨论高效率紫外线LED的性能限制因素。 | |
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