| ||||||
| ||||||
| ||||||
| 中国半导体照明网首页 > ssl2009直通车 > 论坛 > 正文 | |
| 以抛光工艺去除蓝宝石衬底的垂直结构氮化镓基LED芯片 | |
| 时间:2009-10-16 15:32:57 来源:中国半导体照明网 作者: 浏览 | |
| 【字体：大 中 小 简 繁】【收藏】【关闭】 | |
香港应用科技研究院LED/材料和封装技术部LED器件组主管袁述在2009年10月15日至16日举办的“材料、器件与设备分会”上做了题为《以抛光工艺去除蓝宝石衬底的垂直结构氮化镓基LED芯片》的报告，袁述在该报告中介绍了一种抛光蓝宝石的新方法，适用于垂直氮化镓LED芯片的制造，厚铜被用作一种新型衬底。蓝宝石完全被去除，部分0.5 - 2.0微米厚的未掺杂GaN层被去除，而且，1mm x 1mm的LED芯片用于生产。外延片被机械切割成小方块。芯片采用标准的大功率LED封装。 | |
|
