�
  中国半导体照明网首页 > ssl2009直通车 > 论坛 > 正文
AlGaN薄膜的MOCVD生长及P型掺杂研究
  时间:2009-10-16  15:33:50    来源:中国半导体照明网    作者:  浏览
【字体: 】【收藏】【关闭

  南京大学副校长,863计划“半导体照明工程”重大项目总体专家组副组长张荣在2009年10月15日至16日举办的“材料、器件与设备分会”上做了题为《AlGaN薄膜的MOCVD生长及P型掺杂研究》的报告,该报告围绕AlGaN薄膜的MOCVD生长及p型掺杂研究的新结果展开论述,并强调AlGaN薄膜是LED结构的重要组成部分。

精彩推荐Info

温源:世博轴LED艺术灯光景观:新的里程碑

Jim Balthazar:LED灯具设计中被动和主动冷却效果的比较
 
页面功能:【发表/查看 评论】【推荐】【字体: 】【打印】【收藏】【浏览:】【关闭
我来说两句Info
�
 
�