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AlGaN薄膜的MOCVD生长及P型掺杂研究 | |
时间:2009-10-16 15:33:50 来源:中国半导体照明网 作者: 浏览 | |
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南京大学副校长,863计划“半导体照明工程”重大项目总体专家组副组长张荣在2009年10月15日至16日举办的“材料、器件与设备分会”上做了题为《AlGaN薄膜的MOCVD生长及P型掺杂研究》的报告,该报告围绕AlGaN薄膜的MOCVD生长及p型掺杂研究的新结果展开论述,并强调AlGaN薄膜是LED结构的重要组成部分。 | |||||||||||||||||||||
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