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在中国国际半导体照明展览会暨论坛（CHINA SSL2009）上，美国加州大学圣巴巴拉分校教授中村修二发表了题为《氮化镓基发光器件的现状与发展》的报告。
目前非极性氮化镓（Nonpolar GaN）在LED及LD上的应用深受国际产学界瞩目，中村修二领导的UCSB研究团队独步全球，发表了非极性GaN 蓝光LED。其团队研发的LED组件具有低损耗、高寿命等特点，不仅可应用于次世代蓝光储存，随着绿光LD的开发，未来将可应用于微型手机投影机及镭射电视上。
中村修二教授在报告中指出，采用GaN结晶的蓝紫色半导体激光元件通常利用GaN结晶中称为c面的极性面。所谓非极性面就是指垂直于极性面的法线方向的面。与利用极性面相比，利用非极性面能够降低导致发光效率下降的压电电场，因此从理论上讲能够提高发光效率（压电电场的说明）。同时它还具有可输出偏振光的特点。通过上述优点，可以开发出利用GaN结晶非极性面的蓝紫色半导体激光元件，并且能成功地完成了脉冲振荡。
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