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| 张国义：大功率垂直结构LED的制造 | |
| 时间:2009-10-22 8:54:37 来源:中国半导体照明网 作者: 浏览 | |
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北京大学宽禁带半导体研究中心常务副主任张国义在2009年10月16日上午举办的“材料、器件与设备分会”上做了题为《大功率垂直结构LED的制造》的报告，张国义在该报告上介绍了用于照明的白光LED以及垂直结构LED的优势与挑战；其次，介绍了用于微区的LLO技术、外延片的接合技术以及微纳米光子结构。 张国义认为，对于半导体照明而言，采用薄膜技术的垂直结构LED是最有潜力的技术之一。他们已对制造垂直结构LED的关键技术进行了研究，同时，还对该技术中遇到的根本问题进行了研究，如效能降低和光子晶体等。 | |
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