东芝在“nano tech 2009国际纳米技术综合展”（2009年2月18～20日，东京有明国际会展中心）上展出了正在面向新一代照明用LED开发的近紫外LED。外部量子效率较高，达到了36％。发光波长为380nm。为了提高发光效率，抑制了GaN结晶的缺陷，提高了平坦性。

　　该公司对设置在蓝宝石底板及GaN结晶之间、吸收不同晶格常数（lattice constant）的AlN缓冲层进行了改进。采用了在蓝宝石底板上制作AlN薄层后，利用1300℃以上的高温工艺制成μm单位AlN单结晶的“两段成长法”。这样，就能抑制在AlN层上成长的GaN结晶缺陷。另外还采用自主开发的技术解决了由于AlN较厚，与蓝宝石底板的热膨胀系数不同而引发的底板易破碎问题。

　　此次的近紫外LED可通过组合使用红（R）、绿（G）、蓝（B）荧光体，实现与荧光灯几乎相同的2800K色温、以及平均演色指数（Ra）90以上的照明效果。

图1：东芝展出正在开发的近紫外LED