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| 力晶取得美国专利局核发US 7465632专利 | |
| 时间:2009-2-27 11:27:07 来源:光电新闻网 作者: 浏览 | |
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力晶半导体公司昨日发布公告称该公司取得美国专利局核发的US 7465632专利。 该专利描述了一种埋入式掺杂区的形成方法，包括：首先提供一衬底，在衬底上形成第一绝缘层。之后，图案化第一绝缘层以形成往第一方向延伸的开口，在开口所暴露的衬底中形成埋入式掺杂区。然后，在衬底上形成第二绝缘层，此第二绝缘层填满开口，并与第一绝缘层构成为第三绝缘层。然后，图案化第三绝缘层以形成一隔离层，并暴露衬底及埋入式掺杂区，此隔离层往第二方向延伸，而第二方向与第一方向交错。在衬底上形成半导体层填满隔离层两侧区域。本发明因先形成埋入式掺杂区，再于其上形成隔离层，故可降低植入离子的能量。 | |
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