一家由美国加州大学Santa Barbara分校氮化镓(GaN)实验室所独立的新创公司Inlustra，日前宣布开发出一种可扩展的、用于非极性(nonplar)和半极性(semipolar) GaN衬底的制程技术。 Inlustra公司目前正在扩充生产线，并已经开始接受客户的订单；该公司目前所提供的非极性GaN衬底，其规格为5×10mm、10×20mm，不过在未来的9到12个月内，可以将其制程扩展到2英吋。该公司的首席技术官Paul Fini在一份声明中表示：“我们的专利外延技术可显著减少衬底的缺陷数量，因而有助于客户提升组件量产时的良率。” Inlustra的目标市场是LED相关应用领域；GaN材料对于绿色、蓝色、紫色，以及超紫外光产品十分重要。“更重要的是，GaN白光LED适用于普通照明，这将成为一种高效率、无毒性的日光灯与白炽灯泡替代品；可在未来20年内节省50亿桶石油。”该公司引述美国能源部的数据指出。 GaN是LED的关键技术；根据Inlustra提供的资料：“GaN具有晶体结构，某些部分有强烈的方向性。该结构非极性和半极性的面引起了研究人员的浓厚兴趣，希望能用以取代传统的极性GaN的c面(c-plane)；因为后者正面临着一些基础性的组件效率限制。与传统GaN技术相较，非极性和半极性GaN可以显著提高组件性能、制造良率与组件寿命。” | 
