高亮度红光LED芯片是一种亮度高、可靠性好的发光器件。相对于普通结构的红光LED芯片，高亮度红光芯片采用键合工艺实现衬底置换，用到热性能好的硅衬底（硅的热导率约为1.5W/K.cm）代替砷化镓衬底（砷化镓的热导率约为0.8W/K.cm），芯片具有更低热阻值，散热性能更好，有利于提高可靠性。另外，在P-GaP上镀反射层，比普通红光外延层中生长DBR反射镜出光效率更高。为了克服光在芯片与封装材料界面处的全反射而降低取光效率，还在芯片制作一些表面纹理结构。相同尺寸相同波长的芯片，20mA电流下，两者光强相差两倍以上，图-1是高亮度红光芯片剖面示意图。图-2是芯片实物图片。
图-1高亮度红光芯片剖面示意图
图-2高亮度红光芯片
高亮度红光LED芯片因为本身发光效率高、可靠性好，主要应用于对亮度、可靠性要求较高的场合，比如幕墙屏幕、液晶显示屏LED背光源等领域。之前由于普通红光LED芯片亮度不够，在由红（R）绿（G）蓝（B）组成的一个全色模组中通常的构成是一颗蓝光芯片、一颗绿光芯片、两颗普通红光芯片。现在若使用高亮度红光芯片则一颗就可满足要求，而且可靠性高，维护成本明显降低。
目前市场上较多的是普通结构的红光芯片，价格已经很低，利润空间很小。高亮度红光芯片有较大的市场需求，由于在制造技术上有一定的难度，目前只有少数几家公司能批量供货，产品的性价比较高。
2008年底士兰明芯科技有限公司开始开发高亮度红光芯片，技术团队不断调整试验方案、优化工艺参数，使不同热膨胀系数材料之间的金属键合工艺窗口更宽，键合良率和可靠性得到保障。
金属反光特性一直是影响红光芯片亮度的一个主要因素，通过大量试验，已经彻底解决了这一问题。
发光二极管的电极合金条件不合适会导致金丝键合时电极脱落，对于高亮度红光芯片而言，电极合金的工艺要求更高。为了解决好电极和红光外延层粘附性问题，士兰明芯的技术团队在表面处理、合金层结构、合金条件做了大量试验和重复验证工作，克服了电极容易脱落这一难题。
士兰明芯高亮度红光芯片的各项参数指标已达到先进的水平，2009年7月份进入批量生产。现在生产的芯片尺寸规格有280um×280um、350um×350um两种。
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