金泽工业大学光电磁场应用研究所教授三上明义的研究小组试制出了采用绿色发光磷光材料的OLED元件，发光效率高达210lm/W。这是通过使光提取效率超过原来的两倍、提高至56.9％而实现的。
三上等通过详细计算OLED元件中的光运动情况，找到了实现高光提取效率的方法。对OLED元件的厚数百nm以下的超薄半导体层以及密封层等膜厚数百μm～1mm的“厚膜层”中的光的运动情况，按照波长及偏振光进行了分析。分析发现，原来的OLED元件有5～7成的光能量未从半导体层输出，而是以热量的形式被浪费掉了。
在此基础上，三上等将厚膜层的折射率提高至2之后，再次对光运动进行了计算，证实有2/3的光能量转移到了厚膜层。不过，这只是直接改变了光聚集的层，并无助于实现高光提取效率，向元件外部输出的光线比例仍比较低。
对此，三上等在厚膜层的厚0.7mm、折射率为2.03的玻璃表面上形成了0.3mm间距的透镜阵列结构，由此将厚膜层中聚集的光高效提取到元件外部。在实际试制的OLED元件，并对其进行的检测表明，获得了56.9％的高光提取效率。“该元件理论上的光提取效率为75～80％。透镜阵列的改进余地也还很大”。
三上的目标是“实现无损失的光源”。除了此次的厚膜层和透镜阵列之外，如果结合索尼开发的“微腔构造”等技术，便有望大幅接近这一目标。
注：这里所说的光提取效率是假设磷光材料的内部量子效率为100％计算出来的。与外部量子效率的数值相同。
试制的高效绿色发光OLED元件
图：提高厚膜折射率后便可轻松提取半导体层中的光金泽工业大学三上研究室的光学计算结果示例。（a）为不利用特殊光提取技术时的OLED元件范例。（b）为半导体层的厚度为50nm时的元件各层的光能量分布。单看没有密封层等的发光层，有7成的光聚集在半导体层中，不过，通过粘贴折射率高的厚膜，便可将光能量移至半导体层外部。改变半导体层的厚度时，这些比例也会略有变化。
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