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| 比利时采用硅基氮化鎵开发大功率白光LED | |
| 时间:2009-8-13 16:11:39 来源:中国半导体照明网 作者: 浏览 | |
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日前，比利时研究中心（IMEC）推出一项联合开发计划（IIAP：industrial affiliation program），目标是降低氮化鎵（GaN）技术成本，采用大直径的硅基氮化鎵（GaN-on-Si），并开发高效率、大功率白光LED，致力于推动氮化鎵技术的发展，包括功率转换和固态照明（SSL）应用。 IMEC GaN项目总监Marianne Germain表示，采用大直径的硅芯片（尺寸从100mm到150mm，再增至200mm）与CMOS兼容程序相结合，可创造经济上可行的解决方案。就固态照明而言，IIAP计划的一部分是，…… | |
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