一、引言
目前，AlGaInP四元系发光二极管一般使用GaAs衬底，由于GaAs衬底的禁带宽度比AlGaInP窄，有源区所产生的往下发射的光子将会被吸收掉，使得发光效率大幅度降低。为避免衬底吸光，通常在衬底与有源层之间加入一层分布布拉格反射层（DBR），以反射射向衬底的光，减少GaAs的吸收。由于DBR反射层只对法线方向较小角度内（通常qDBR＜20°）的光线能有效反射，其它远离法向入射的光线绝大部分都被
GaAs衬底吸收，因而提升光效的效果有限。
为了提高发光效率，人们开始进行其它衬底代替GaAs吸收衬底的研究。其中一种方法就是用对可见光透明的GaP衬底取代GaAs衬底（TS），即用键合技术将长有厚GaP窗口层的外延层结构粘接在GaP衬底上，并腐蚀掉GaAs衬底，其发光效率可提高一倍以上，同时GaP的透明特性使得发光面积大增。然而，该工艺存在合格率低、使用设备复杂、制造成本高的缺点。近年来，台湾开始进行了倒装衬底AlGaInP红光芯片的制作研究，由于工艺适于批量化生产，且制造成本低，引起人们的广泛兴趣。
二、垂直芯片结构及工艺
本文介绍了我公司进行的AlGaInP红光垂直结构超高亮度LED芯片制作方法。首先进行MOCVD外延，再以高热导率Si、SiC、金属等材料作为衬底，将LED外延层粘接在其上并制成芯片。其结构为：
图1：高热导率镜面衬底高亮度LED结构
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