| 紫外LED与深紫外LED的新发展 | |
2010-10-15 17:14:11 中国半导体照明网 梁静 行业:其它 浏览 | |
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2010年10月15日下午，在第七届中国国际半导体照明展览会暨论坛上，UV Craftory运行执行官&研发部总监Akira Hirano作了题为《紫外LED与深紫外LED的新发展》的报告。 紫外LED的用途广泛：UVA：大于315nm，可以用于医疗，印刷，光刻，验钞和光催化等；UVB：280到315nm，用于医疗，生物分析（如DNA）等；UVC：小于280nm，用于杀菌（水、空气净化）和成分分析等。 在报告中，Akira Hirano教授介绍了一种紫外LED与深紫外LED的制备实验。实验过程中，采用倒装结构，芯片尺寸为800*800μm2，P电极面积为0.15mm2，电流密度在0.1A下为66A/cm2。为提高出光效率，在蓝宝石衬底的表面制作饿眼抗反射结构。最终分别制备了发光波长为354nm（GaN阱，非横向外延），280nm（Al0.35Ga0.65N阱，非横向外延）和259nm（Al0.57Ga0.43N阱，非横向外延）的紫外LED。 结果显示，354nm的LED在500mA直流下发光功率为50毫瓦，200mA下寿命为500小时（功率下降70%）。280nm的LED在500mA直流下发光功率为75毫瓦。259nm的LED在500mA直流下发光功率为38毫瓦。采用横向外延技术的GaN阱的发光波长为343nm，500mA直流下发光功率为75毫瓦。 | |
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