| 欧司朗透露提升大电流LED发光效率的最新技术 | |
2010-10-17 15:48:03 中国半导体照明网 梁静 行业分类:其它 浏览 | |
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Volker Haerle认为，短期和中期的市场主要由TV的背光照明来推动，而中期和长期市场增长还要依靠照明应用。未来5年，LED在通用照明领域将快速增长，这其中主要得益于替代灯的应用。 现在许多人对LED灯具的全生命周期是否节能提出了怀疑，Volker Haerle通过对比白炽灯、紧凑型荧光灯（CFL）及LED灯的全生命周期，指出LED灯具能效最高，CFL稍差，但是白炽灯能耗过高，所以各国政府陆续出台了一系列淘汰白炽灯的政策。
Volker Haerle重点介绍了欧司朗光电半导体开发的新型LED结构“ThinGaN UX:3”。以前，蓝色LED芯片采用的“ThinGaN”技术是在芯片表面设置n型接触电极。UX:3在LED芯片内部设置了向芯片表面内扩展的n型接触层。从该n型接触层起，通过数十个通孔（芯片尺寸为1mm见方时），向芯片表面上的n型GaN类半导层进行电气连接。这样一来，便可在芯片表面内使电压均一施加到n型GaN类半导体层。由于消除了电流密度局布较高的部分，因此可大幅减少俄歇复合显著的区域。于在芯片内部设置了n型接触层，因此活性层向芯片外部的发光不会再受到阻挡。这样便获得了75～80%的高光提取效率。
他表示，该结构不仅能够大幅提高蓝色LED等GaN类LED的外部量子效率，而且还可大幅抑制LED在通过大电流时发光效率下降的公认课题。通过减少不伴随发光的非放射再结合——“俄歇复合”，可抑制发光效率的下降。据悉，采用UX:3的蓝色LED芯片，其光输出功率在芯片为1mm见方的情况下投入350mA电流时比ThinGaN大约高10％。投入电流越多，UX:3和ThinGaN的差距就越大。615nm LED的发光效率可达到135lm/W。 | |
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