我自主研发深紫外LED生产线投产

我自主研发深紫外LED生产线投产
2010-12-20 10:24:45 科技日报行业:其它浏览

　　在科技部和半导体照明产业联盟的关怀下，青岛市和崂山区两级政府分别以拨改投的形式给予5000万资金的支持，成功开发出具有独立自主知识产权的特种高铝组分GaN-MOCVD设备和深紫外LED产品。

　　国内首条波长280纳米的深紫外LED生产线今天在青岛杰生电气有限公司建成并投产，标志着我国半导体照明产业的发展水平实现质的飞跃。据悉，这是深紫外LED在国内首次实现商业化量产。

　　据青岛杰生电气有限公司董事长兼总经理张国华介绍，他们研发生产的具有自主创新知识产权的深紫外LED产品，委托了目前国内唯一具有深紫外LED检测能力的杭州远方光电信息股份有限公司进行了产品检测。记者从“杭州远方”出具的测试报告看到，青岛杰生电气自主研发生产的波长280纳米的深紫外LED,在20毫安连续直流电流下，发光强度超过2.0毫瓦，外量子效率大于2.5%；目前用它制成的深紫外LED模组标定输出功率超过32毫瓦。

　　 III-V族氮化物是目前所知的最理想，覆盖光谱最全的全固态紫外发光材料。被广泛的应用于消毒、水和食品处理、医疗器械、高分子聚合物固化、防伪、军事通信等领域，具有体积小、光密度高、无污染等优点。波长为255—280纳米的紫外线对细菌和病毒有着很强的杀伤力。主要原因是所有的细菌，病毒的遗传物质（DNA）对这个波段的紫外线有着很强的吸收，紫外线光子所携带的能量能有效的破坏DNA的链状结构，使细菌和病毒无法复制（繁殖），从而达到消毒灭菌效果。

　　成立于2001年的青岛杰生电气有限公司，一直致力于氮化镓基金属有机物化学气相沉积设备（GaN-MOCVD）的研发，取得了MOCVD设备制造技术、高质量GaN外延材料制备技术、高性能p型GaN材料制备技术、高质量InGaN/GaN多量子阱制备技术、高亮度GaN蓝光、紫光以及紫外光LED外延片制备技术、高Al组分AlGaN材料制备技术和深紫外LED制造技术等关键技术突破。

　　他们自主研发生产的国内首台深紫外LED外延生长设备，打破了该设备一直被国外公司垄断的局面。2002年与西安电子科技大学合作，承担了国家科研项目，成功研制出我国首台2英寸单片和2英寸3片GaN-MOCVD设备，该设备被青岛市认定为高新技术产品，该项目还获得国防科技进步二等奖，2005年获陕西省科技进步一等奖。2006年承担了国家高技术研究发展计划（863计划）新材料技术领域重大项目“半导体照明工程”—“GaN-深紫外材料生长MOCVD设备”课题，以专家组评比第一的成绩获得国家重大专项课题的支持，这标志着杰生电气研制的MOCVD设备已经达到国内领先水平，这也是青岛市首次在新材料领域获得国家重大科技项目支持。近年来，该公司从国外引进了LED领域的博士创新团队。　　

　　该公司是目前国内唯一一家能够专业化生产GaN-MOCVD设备厂家，同时利用自产MOCVD设备，建成了从外延生长、芯片制备及到封装的专业化深紫外LED生产线。波长为小于300纳米的深紫外LED生产线设计年产规模达到1000万粒，成为国内唯一深紫外LED专业化生产厂家。

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