| 华灿光电:斜四边形衬底上LED光提取效率分析 | |
2011-11-11 12:43:47 中国半导体照明网 王涛 行业:其它 浏览 | |
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（中国半导体照明网讯）第八届中国国际半导体照明论坛之“芯片、器件封装与模组技术分会”上，来自华灿光电股份有限公司研发工程师张威提出了一种新型提高光提取效率的方式，即通过激光从衬底前端和后端划刻，把传统直角衬底边变为倾斜角度，通过软件模拟和实验分析来证明了这一结果。结果显示，倾角的平行四边形衬底能明显增加裸芯片发光强度，60度倾角时增加超过30%，但对于封装后的芯片亮度并没有明显改善。对于倾角衬底的作用，对裸芯和封装后芯片不一致，主要是因为水平方向出光造成的。
实验结果表明，通过这种方式封装好的LED器件，对裸晶能明显提高正面亮度，内量子效率达到80%，但继续提升幅度有限。对封装之后的LED亮度没有明显作用。 | |
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