| 采钰科技携手中科院展出8寸氮化铝LED基板 | |
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采钰科技与中山科学研究院(简称中科院)透过经济部科专计划合作，成功开发出全球第1片8寸氮化铝LED基板，日前于台北国际照明科技展览展出。
图为中科院化学研究所所长王国平博士(左)、采钰科技LED事业组织协理张笔政(中)，以及中科院化学研究所郭养国博士(右)。 在制造成本方面，虽然氮化铝基板的材料成本较矽基板高，但由于氮化铝基板的制程步骤较矽基板少，因此制程后段生产成本约可降低30%，以整个材料加上制程的总成本来看，氮化铝基板的总成本仍略低于矽基板。至于相较于目前普遍的氧化铝基板，氮化铝基板的成本约为氧化铝基板的2.5~3倍，但未来若能借由量产效益，氮化铝基板的成本将可快速下降，逐渐接近氧化铝基板成本，届时散热效益强大的氮化铝基板将有机会取代氧化铝基板。 中科院相关研究人员表示，氮化铝基板早期一直掌握在日本业者手中，但目前日本量产氮化铝基板的最大尺寸为4.7寸，实验室试产尺寸为5.5寸。此次中科院透过军民通用技术执行经济部高值化学品科专计划，与采钰科技合作推出的全球第1片8寸氮化铝LED基板，不仅打破长期被日本垄断市场的局面，更在技术上取得大幅领先的地位。 日本大厂氮化铝基板的主要制程方法为刮刀成型法，制程简单，但无法制造大尺寸基板，且致密性较差。而中科院开发之氮化铝基板不同于日本与其他国际大厂，采用CIP与HIP烧结成型法，制成致密性较高的氮化铝晶柱，再将晶柱切割成片，可达到8寸晶圆级水准。更重要的是，8寸氮化铝LED基板生产制程可沿用原半导体8寸矽晶圆制程设备，大幅降低业界投资生产成本。 中科院与采钰科技等台湾6家厂商合作，成立“LED照明深耕技术整合开发计划”联盟，除了前述晶圆级金属氮化物基板开发之外，并将整合白光LED技术，包括相关制程与配方、萤光粉体技术与检测。目前中科院已针对萤光粉完成专利分析，未来相当有机会突破萤光粉的专利网限制，使得台湾在LED关键材料与技术自主化方面，获得更进一步的突破与成果。（编辑：LEDxume） | |
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