LED三维封装原理及芯片优化

　　为了使LED通向照明，各大厂急需解决的问题是降低成本，增加光通量。其中有效的方式是在不增加成本的情况下，如何注入大电流。本封装适合于垂直结构LED，工艺上取消原来的LED芯片N--面ITO电极，取代的是涂布型透明电极工艺结合PET薄膜形成无金线的封装模式。

　　为了使LED通向照明，各大厂急需解决的问题是降低成本，增加光通量。其中有效的方式是在不增加成本的情况下，如何注入大电流。

　　本封装适合于垂直结构LED，工艺上取消原来的LED芯片N--面ITO电极，取代的是涂布型透明电极工艺结合PET薄膜形成无金线的封装模式。

　　具体步骤如图B，LED垂直结构芯片(2)P--面焊接与基板（1）正电极，导电基材Cu（3）焊接与基板（1）负电极，LED芯片与基材Cu的高度基本一致，涂布型透明导电材料（4）涂布于PET薄膜（5），涂布型透明导电材料（4）连接LED芯片（2）N--面与导电基材Cu（3）顶部。形成三维薄膜封装。

　　LED芯片结构优化如图A，芯片N--面无需制作电极，无需电流扩散，无需焊盘。取代原有ITO电极将是涂布型透明电极。

　　三维封装优势；1）芯片N--面的电流注入与P--面基本相似，形成等电位电流。可以注入大电流。2）电极形式优于梳状电极可以加大芯片尺寸，提高光效。3)增加光通量，降低成本。4）薄膜封装实现轻薄化。5）无金线封装增加器件稳定性。6）便于模块化生产。

　　芯片层面；1）取消电极删，减少遮光。2）无电极制作，减化工艺。

　　注；涂布型透明电极是替代ITO的一种趋势。现有涂布型材料透光率80%以上；包括1）涂布型ITO导电颗粒，2）高分子导电材料，3）纳米银导电颗粒，4）Ag丝墨。其中电阻最低的是Ag丝。方阻0.1-----0.2欧姆。优于ITO方阻7----8欧姆。

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