| 明导和英飞凌提出的功率半导体及LED用封装热阻检测方法成为JEDEC标准 | |
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美国明导科技（Mentor Graphics）宣布，基于该公司MicReD（Microelectronics Research and Development）部门与德国英飞凌科技（Infineon Technologies AG）Automotive Power Application部门2005年共同发表创意时所提出的半导体封热阻检测方法，已成为JEDEC（Joint Electron Device Engineering Council）标准。该方法主要针对功率半导体及LED等领域，用于散热路径单一的场合。 相应规格于2010年11月被管理半导体封装热特性评测技术的JEDEC JC15委员会认定为“JESD51-14”标准。该标准命名为：“在热量流过单一路径的半导体器件时，用于检测结（注：器件的结点）－壳（注：封装的外壳）间热阻的双面瞬态检测方法”。 此次的标准（以及明导和英飞凌于2005年共同发表的方法）基于MicReD推出的下述技术：（1）静态的瞬态热阻检测技术（已成为JEDEC51-1标准），（2）利用由该技术获得的时间-温度分布信息导出构造函数（显示热阻-热容关系的函数或图形）。另外，（1）和（2）两技术已通过使用明导提供的热阻检测用硬件“T3Ster”及其软件，实现了商品化。
使用T3Ster的热阻检测方法。首先使用T3Ster求出温度的时间分布。然后使用相关软件将时间分布信息转换为构造函数。图片由明导提供。
构造函数的含义。表示作为对象的已封装器件的热构造。图片由明导提供。
明导和英飞凌于2005年共同发表的创意。图片由明导和英飞凌提供。 JESD51-14的方法在包含隔离层和不包含隔离层两种场合（这就是“双面”的含义）均基于（1）和（2）这两种技术，推算出各自的构造函数。构造函数一致的部分可作为结-壳间热阻高精度求出。另外，在微处理器等散热路径不单一时，通过改为单一路径的设计并多次检测，便可求出热阻。 在此次明导宣布上述消息的同时，英飞凌在2011年3月20～24日于美国举行的国际会议“2011 IEEE SEMI-THERM Thermal Measurement, Modeling and Management Symposium”上，发表了与JESD51-14相关的论文。另外，上面提到的MicReD部门在2005年时是一家总部设在匈牙利布达佩斯的企业（MicReD Kft.）。MicReD后被英国Flomerics Group PLC.收购。后来明导又于2008年收购了Flomerics，现在变成了明导的MicReD部门。（编辑：LEDxume） | |
