IMEC发布200毫米CMOS硅衬底晶片生产技术

IMEC发布200毫米CMOS硅衬底晶片生产技术
2011-6-2 14:21:18 中国半导体照明网译 Fisher 行业:外延芯片浏览

　　IMEC近日发布其最新的硅衬底晶片。在一项名为氮化镓工业联盟计划（IIAP）的研发项目里，IMEC与其合作伙伴共同开发了在200毫米硅晶片上生长GaN/AlGaN的技术。借助这项新技术，GaN MISHEMTs能够严格按照CMOS的污染控制要求在工艺线上进行生产（不再需要加入金这种贵金属），进而能够在200mm硅衬底上大批量生产高质量的氮化镓产品。

　　IMEC（Interuniversity Microelectronics Centre，欧洲微电子研究中心）近日发布其最新的硅衬底晶片。在一项名为氮化镓工业联盟计划（IIAP）的研发项目里，IMEC与其合作伙伴共同开发了在200毫米硅晶片上生长GaN/AlGaN的技术。借助这项新技术，GaN MISHEMTs（ metal-insulator semiconductor high-electron mobility transistors，无金属高电子迁移率晶体管）能够严格按照CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体）的污染控制要求在工艺线上进行生产（不再需要加入金这种贵金属），进而能够在200mm硅衬底上大批量生产高质量的氮化镓产品。

　　IMEC详细介绍了该技术的优势：

　　1. 大尺寸生产

　　氮化镓是一种极具潜力能替代硅元件的新一代功率器件。IMEC使用Applied Materials公司的MOCVD最近成功地在200毫米硅晶片上生产出表面无裂纹并且弯曲度小于50微米的氮化镓硅晶片是一个重要的里程碑，因为生产大尺寸晶片对降低成本效果显著。

　　2. 兼容性好

　　降低成本第二个有效因素是怎样使得功率器件与标准CMOS制造工艺和工具兼容。 IMEC的新技术展示了使用标准CMOS工艺生产GaN MISHEMTs，并验证了所有的设备仅仅只要求在软件和硬件做微小的调整即可。通常，金这种贵金属被用于氮化镓产品的电路连接和门电路结构，但它使氮化镓的加工与CMOS工艺不兼容。而IMEC基于无金的电路连接系统，和无金的金属绝缘半导体（MIS）门结构解决了兼容问题。这种MISHEMT设计还能有效降低传统HEMTs（高电子迁移率晶体管）的高漏电问题。

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