| Bridgelux刷新了GaN-on-Si LED的效能纪录达到135lm/W | |
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美国LED芯片及照明用具生产商Bridgelux公司宣布近日刷新了由其之前保持的GaN-on-Si LED的光视效率（流明/瓦特）。3月，Bridgelux公司曾展示了硅衬底氮化镓1.5mm直径功率LED 在4730K CCT（相关色温）、350mA电流强度下达到135lm/W的水准。此款商业级硅衬底LED可在很低的工作电压下正常运转（350mA时2.9V，1A时小于3.25V）。 Bridgelux公司表示它现在生产的硅衬底LED已和最先进的蓝宝石衬底LED达到同等水平。冷白色荧光灯的光视效率已达160lm/W（相关色温：4350K），暖白色荧光灯的光视效率已达125lm/W（相关色温：2940K，显色指数：80）。 1.5mm密封蓝色LED在350mA情况下发散591mW光能，达到了59%的插座效率。同时，此款LED具有很低的正向电压（350mA时2.85V），可适应在高电流密度环境下的应用。在驱动电流为1A，正向电压为3.21V时，此款LED可发出1.52W的蓝色光能，使其达到47%的插座效率。主波长为455纳米的8英寸LED芯片经证实具有很好的波长一致性。 常规LED使用蓝宝石或者碳化硅作为其衬底的初始材料，而这两种材料价格均超过硅的价格。所以常规LED的价格因素使其在走进家庭和商务楼市场走丧失了先机。而再低价硅衬底上附着GaN材料配合大容量的半导体材料，生产商可以减少约75%的成本，Bridgelux如是说。 Bridgelux同时预测成本的降低将使其在与传统白光灯的竞争中分得一品羹。 事实上，GaN的热膨胀系数大于硅的热膨胀系数。这个隐患将会导致在室温或附着外延层时外延层有可能断裂或者晶片也有可能弯折。但Bridgelux明确表示其缓冲层专利技术将有效的解决这一隐患并使芯片在室温下保持平直。目前，此项专利已在8英寸硅衬底的实验中得到充分证实。 首席技术员Dr. Steve Lester 表示：“这项研究成果应归功于我们的坚持和专注，我们一如既往的致力于打造一个世界级材料学家团队；我们的研究人员专注于推动世界级外延科技的发展。我们也会继续努力，使硅衬底尽早的在工业生产中彻底取代蓝宝石衬底的地位。我们的首款可商购的GaN-on-Si产品将于两年内和大家见面。” “这项突破性技术应归功公司对于研究开发的持续投资以及对于固态照明市场的单一关注。这项关键的技术革新将是整个行业的“游戏变革者”，预示着半导体行业预先投资的减少，因而显著增加市场接受率。”CEO Bill Watkins如是说。 Bridgelux一直维持着轻资产的经营模式，目标旨在通过其在LED外延层方面的知识产权优势和现有各大半导体生产商进行合作。Bridgelux预测和现有半导体生产商合作会降低成本、带来可观的效益并使资金自然回流。 | |
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