| 中国LED产业发展中的重要人物之一：甘子钊 | |
2012-10-17 13:31:38 中国半导体照明网 行业分类:其它 浏览 | |
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甘子钊1959毕业于北大物理学系，后攻读研究生4年。曾在美国从事科研工作。 甘子钊现任北大物理学系教授、博士生导师、系主任、兼任北大固体物理研究所所长，被授予“国家级有突出贡献的专家”。 人物简介： 1963年北京大学物理系研究生毕业。历任北京大学副教授、教授、固体物理研究所所长，国务院学位委员会第二届学科评议组成员。从事半导体物理、激光物理、固体理论的研究。 1991年当选为中国科学院院士(学部委员)。北京大学物理系教授、固体物理研究所所长，国家超导专家委员会首席专家。北京现代物理中心副主任，国家超导实验室学术委员会主任，人工微结构和介观物理国家重点实验室学术委员会主任。
60年代初对半导体中隧道效应做了较好的工作，解决了锗中隧道过程的物理机理。70年代初在发展我国大能量气动激光上做出贡献。 70年代后期提出一个基本正确的多原子分子多光子离解的物理模型。 80年代初发展了光在半导体中相干传播的理论。 80年代中，在凝聚态物理的一些前沿，如分数量子霍尔效应、金属-绝缘体相变、磁性半导体量子阱中极化子、杂质共振态等方面做出一些贡献。 1986年以来，在中国高温超导电性的研究和发展上起重要作用。 甘子钊教授最先在国内实现了燃烧型气体动力学激光器，为发展中国大能量激光做出突出成就。甘子钊在半导体中隧道效应的机理，多原子分子多光子离解的物理模型以及光在半际体中相干传播的理论等方面有开拓性工作。甘子钊还长期担任国家超导专家委员会负责人，为中国高温超导研究作出重要贡献。 最近甘子钊又被聘为国家“高临界温度超导电性的基础研究”项目的首席科学家。 研究领域：固体物理和激光物理 1960年至1965年期间，主要从事半导体物理的研究工作。曾在半导体中的电子隧道过程、杂质电子状态、磁共振现象等方面进行过理论研究，解决了锗中隧道过程的物理机理。 1970年至1978年期间，主要从事激光物理的研究工作，曾在二氧化碳气体激光器和燃烧型气体动力学激光器的研制、气体激光器的频率特性等方面进行过实验和理论研究，对发展中国的大能量气体激光做出一定贡献。 1978年至1982年期间，主要从事光与物质的相互作用的研究，曾提出多原子分子光致离解的物理模型和光在半导体中相干传播的理论。 1982年至1986年主要从事固体电子状态的研究，曾在半导体中杂质的自电离状态量子Hall效应、绝缘体—金属相变、磁性半导体中磁极化子、低维系统中电子输运等方面进行理论研究。 从1986年开始，转入高温超导电性的实验和理论研究，主持北京大学的高温超导和全国超导攻关项目的研究工作，对中国高温超导研究的发展作出重要贡献，并负责组建国家重点实验室“人工微结构物理实验室”的工作，在国际与国内学术刊物上发表论文30余篇。 甘子钊学术工作的特点是致力于在凝聚态物理与光学物理的前沿研究，并总是力求把理论研究与实验研究结合起来。 | |
