Osram的研究人员成功制造出高性能的蓝光和白光LED样品，可以使氮化镓层生长在直径为150毫米（接近6英寸）的硅片上。目前蓝宝石衬底是生长发光层氮化镓的常见材料，Osram的技术突破将使得硅片可以替代蓝宝石，并且无任何质量损失。目前已经在试制阶段，所生产的LED芯片正在实际环境下进行测试。这意味着Osram的基于硅衬底生产的LED芯片将在两年内上市。
采用硅衬底生产LED芯片所具有的优势：一、由于硅材料在半导体行业的广泛采用，其在大尺寸和热性能管理上具有更成熟的技术，是进行批量生产的理想选择；二、采用硅衬底所生产的LED芯片的质量和性能数据与蓝宝石衬底所生产的LED芯片相匹配：采用Osram公司标准Golden Dragon Plus封装的硅衬底蓝光UX:3芯片，在3.15伏电压下亮度达634mW，电光转换效率为58%。将其采用传统的荧光粉转换器转换为白光LED时，样品功效实现127lm/W（电流350mA、色温4500K）。
按照LED上游材料制备所用的衬底划分，目前已实现产业化的有三种技术路线，即蓝宝石衬底半导体照明、碳化硅衬底半导体照明和硅衬底半导体照明。当前，大多LED芯片的生产以蓝宝石为主。为了降低LED芯片的生产成本，多年来研究人员一直在努力完善基于硅衬底的LED制造工艺。