| 曾一平：国产化48片氮化物MOCVD设备样机研制进展 | |
| |
【中国半导体照明网讯】材料与装备一直是LED产业链中至关重要的一环，致力于探讨MOCVD特别是国产化设备的研究进展，探讨Si、SiC及蓝宝石衬底等的关键技术，2012年11月6日，作为第九届中国国际半导体照明展览会暨论坛（CHINASSL2012）的重要技术分会，“材料与装备技术”分会在广州广交会威斯汀酒店顺利举办。中国科学院半导体照明研发中心副主任、所长助理、研究员曾一平在会上作了题为《生产型MOCVD装备研制进展》的报告。
曾一平重点介绍了依托中科院半导体研究所技术开发的48片氮化物MOCVD设备样机，他认为，样机不仅经过了真空、压力、温度、旋转、等一系列设备性能指标实验考核，同时进行了氮化物外延工艺实验，从实验获得的基本性能指标来看，该48片样机研制已获得成功。 曾一平指出，国产化MOCVD较国际大厂设备相比，成本可以降低20%，而其中降低成本的关键在于自主设计的反应室核心部件的国产化，该款产品的反应室独具特色，首先，在低转速下原子层外延生长，高转速下普通生长模式；其次，象限式扇形结构，提高均匀性，易于大尺寸扩展。 样机不仅通过了真空、压力、温度、旋转、自动传输等一系列设备性能指标实验考核，还进行了氮化镓以及氮化物LED的外延工艺考核。中国科学院半导体照明研发中心通过对48片机的GaN材料外延工艺的优化，生长出了质量较好的GaN材料，电学、X射线双晶衍射、InGaN/GaN QWs XRD、表面粗糙度测试结果表现优异。山东华光、杭州士兰明芯、武汉迪源、上海蓝宝、扬州中科等国内主流芯片公司的GaN LED外延片测试结果显示，在厚度均匀性方面，48个样品的平均厚度为3.256nm，标准偏差 Std Dev=1.426%；在波长均匀性方面，48个样品的平均波长为453.6nm，其标准偏差 Std Dev=0.516%。
| |
| ·新海宜子公司MOCVD机台获政府补贴1800万元 2012-11-15 |
| ·广东再启LED封装和MOCVD设备专利分析预警 2012-11-14 |
| ·CHINASSL2012芯片、器件、封装与模组技术分会隆重召开 2012-11-13 |
| ·CHINASSL2012芯片、器件、封装与模组技术分会隆重召开 2012-11-10 |
| ·三部委领导联袂出席ChinaSSL2012共论产业发展大事 2012-11-9 |
| ·激荡全球智慧，重塑产业未来 2012-11-8 |
| ·曾一平：国产化48片氮化物MOCVD设备样机研制进展 2012-11-7 |
| ·CHINASSL2012开幕 科技部副部长曹健林致欢迎辞 2012-11-7 |
标签:CHINASSL,2012,LED,照明,MOCVD,材料与装备,曾一平