爱思强股份有限公司日前宣布，新客户于台湾领先的科技大学国立中兴大学向其订购一套3x2英寸晶片规格的近耦合喷淋头(CCS) MOCVD系统。
国立中兴大学将利用CCS系统进行在硅晶片上异质外延生长氮化镓(“硅基氮化镓”)技术的研发。爱思强的一支当地服务支持团队已在国立中兴大学位于台中市的专用洁净间中，对新反应器进行安装及调试。国立中兴大学材料科学与工程系的武教授评论说：“爱思强的近耦合喷淋头系统是研究硅基氮化镓的完美选择。这一结论不仅是基于我多年来对这种材料技术难题的研究，而且是全球众多使用爱思强MOCVD系统的领先研究机构的共识。国立中兴大学精密工程研究所的洪教授补充说：“这套反应器具有适应广泛、操作简易的特点，且可实现我们所需要的一系列参数的可复制性，将为我们生产高质量的硅基氮化镓外延片和其他新结构提供一臂之力。”
自2001年以来，由武教授和洪教授共同领导的国立中兴大学研发团队已成功开发多项独特的氮化镓和磷化铝镓铟LED技术。如今，这个涵盖外延生长到设备加工与包装的综合实验室已经成为台湾领先的研发中心之一。该团队的多项产学合作项目成功荣获台湾行政院国家科学委员会嘉奖。
国立中兴大学是台湾中部地区唯一一所提供全面的研究和教育课程的国立大学。该校持续投资建设卓越研究中心，包括生物技术、纳米仿生技术和先进的工业精密仪器仪表技术三个领域，致力在未来五年内跻身世界一流大学之列。