瑞萨与台积电联手开发40nm闪存混载技术 MCU业务外包加速

瑞萨与台积电联手开发40nm闪存混载技术 MCU业务外包加速
2012-7-2 10:01:06 日经BP社木村雅秀行业分类:其它浏览

　　“以前自主生产MCU的意识过于强烈了”(瑞萨电子执行董事兼MCU事业本部长岩元伸一)。
继长期亏损的SoC之后，瑞萨又加快了利润最高的MCU的外包制造。该公司于2012年5月宣布，将与台积电(TSMC)合作开发40nm工艺的闪存混载MCU制造技术，并委托台积电生产(图1)。车载MCU也将成为外包对象。

　 “以前自主生产MCU的意识过于强烈了”(瑞萨电子执行董事兼MCU事业本部长岩元伸一)。

　　继长期亏损的SoC之后，瑞萨又加快了利润最高的MCU的外包制造。该公司于2012年5月宣布，将与台积电(TSMC)合作开发40nm工艺的闪存混载MCU制造技术，并委托台积电生产(图1)。车载MCU也将成为外包对象。瑞萨表示，到2016年度将把半导体整体的外包生产比例由2011年度的15%提高到30%。

台积电特殊技术总监Lin Cheng-Ming(左)和瑞萨电子执行董事兼MCU事业本部长岩元伸一(右)。

　日本国内工厂进一步空洞化?

　　虽然日本企业的SoC业务相继出现因承受不了巨额设备投资而转为外包的情况，但要求高品质的车载MCU等以前一直被认为难以实施外包生产。“情况因东日本大地震而发生了变化”(岩元)。瑞萨生产MCU的主力工厂——那珂工厂受灾，产品供应欠账的情况持续了大约半年。结果，“以汽车厂商为首的很多客户要求不仅在日本国内生产，还要在海外进行多元化生产”(岩元)。

　　地震以后，瑞萨就针对200mm晶圆生产线生产的0.15μm工艺以前的MCU，构建能由美国GLOBALFOUNDRIES公司多元化生产的体制。2011年底，瑞萨决定将300mm晶圆生产线生产的90nm工艺闪存混载MCU委托给台积电生产。此次进一步就40nm工艺产品与台积电展开合作。由台积电生产的MCU的供货时间方面，90nm工艺产品为2013年度，40nm工艺产品为2014年度。图1：瑞萨与台积电就40nm工艺闪存混载MCU展开合作。

图1：瑞萨与台积电就40nm工艺闪存混载MCU展开合作

　　由此可见，瑞萨与台积电合作是为了实现多元化生产，瑞萨还将继续坚持自主生产。90nm工艺产品将在鹤冈工厂生产，40nm工艺产品将在那珂工厂生产。不过，可以认为半导体外包生产完全有可能以此为契机进一步加快步伐。如果要求高品质的车载MCU等产品也能够外包生产，那么在更多的半导体产品上利用低成本的代工企业将成为一种趋势。今后，日本国内工厂有可能进一步空洞化。

　　另外，部分报道称瑞萨将把鹤冈工厂出售给台积电，瑞萨对此不予置评。

　　目的在于制造技术的授权

　　瑞萨与台积电合作的目的还在于将已在MCU业务中构建的生态系统扩展到SoC领域(图2)。瑞萨2011年的MCU市场份额为27%，车载MCU的份额高达42%，已经建立了软件开发环境等生态系统。但瑞萨对SoC设计环境的影响力不是很高。因为SoC的设计环境大多不是以瑞萨的制造技术为前提，而是以TSMC等代工企业的制造技术为前提构建的。

　　因此，此次合作将把40nm工艺闪存混载技术作为台积电制造技术的菜单之一(图3)。基础的CMOS技术将使用台积电的40nm工艺技术，在此基础上追加瑞萨自主的SG-MONOS(split-gatemetal-oxide-nitride-oxide-silicon)型闪存混载技术。如果该制造技术能够被台积电的客户广泛使用，瑞萨很可能还能获得SG-MONOS技术的授权收入。

　　图2：扩大MCU的生态系统

　瑞萨希望通过与台积电已在SoC行业广泛普及的制造技术兼容，以将MCU的生态系统扩大到SoC领域。　　

图3：台积电扩充制造技术

台积电通过与瑞萨合作，能够获得40nm工艺闪存混载MCU制造技术。(图：TSMC)

�