| 基于氮化镓的LED具有更低成本效益 | |
| |
过去在电子工业中知名的普莱思半导体有限公司(Plessey Semiconductors Ltd.，位于英国普利茅斯)，已交付到能够一次处理7个6英寸的晶片的Aixtron(爱思强)公司，并用于生产高亮度LED。普莱思正在利用自身的技术制造基于硅衬底的氮化镓晶片。 “我们使用更薄的氮化镓层，和其他6-8μm的氮化镓硅工艺技术相比，我们仅仅只有2.5μm。”普莱塞的高亮度LED产品线主任Neil Harper在一份声明中说。更薄的氮化镓意味着较少的沉积时间和单位时间内的更多的LED产能。
基于硅衬底的GaN LED有150 lm/W的效能，而且普莱塞预计95%的产能效益为，在1mm2的面积上6个晶片可以生产14000个高亮度LED芯片。普莱塞还打算将在将来8英寸的衬底上有更大的成本减少。 蓝色LED有个显著的特征是，首批样品在峰值发射时，在波长为460nm处电流为350mA。这项技术可以延伸到其他发射波长，例如，在磷的转换下，500nm的青色和530nm的琥珀绿可实现白色光输出。在今年晚些时候，黑白输出将起初实现提供80 lm/W，预计到2012年6月能提供150 lm/W。 | |
相关阅读：
标签:氮化镓;LED具
| ·南通同方采用VEECO设备进行硅基氮化镓LED研究 2012-9-20 |
| ·硅基氮化镓：逻辑光学一体化芯片 2012-9-12 |
| ·基于氮化镓的LED具有更低成本效益 2012-8-1 |
| ·爱思强推出AIX G5+ 用于AIX G5反应器平台的5x200 mm硅基氮化镓技术 2012-7-24 |
| ·科锐宣布升级工艺设计套件 开发碳化硅衬底氮化镓HEMT器件 2012-7-17 |
| ·台湾国立中兴大学选用爱思强 CCS MOCVD系统用于硅基氮化镓研发 2012-6-27 |
| ·Veeco推出三款新系列氮化镓MOCVD设备 2012-6-7 |
| ·普瑞光电与东芝公司在8英寸硅基氮化镓LED芯片方面实现突破 2012-5-21 |
标签:氮化镓;LED具