| 飞兆半导体扩充开关电源MOSFET产品线 | |
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美国飞兆半导体扩充了用于开关电源(AC-DC转换器)的40～80V耐压功率MOSFET的产品线(英文发布资料)，新投放了4款产品，分别是耐压为40V、采用Power56封装的“FDMS015N04B”;耐压为80V、采用Power56封装的“FDMS039N08B”;耐压为60V、采用3端子TO-220封装的“FDP020N06B”;耐压为80V、采用3端子TO-220封装的“FDP027N08B”。4款产品均为n通道产品，特点是，为支持高速开关，降低了栅极电荷和反向恢复电荷。据该公司介绍，“可降低开关损失，因此可用作开关电源的同步整流器”。 FDMS015N04B的最大连续漏极电流为100A，最大脉冲漏极电流为400A;栅源电压为±20V;导通电阻在栅源电压为10V时为1.5mΩ(最大值);栅极电荷为118nC(最大值);反向恢复电荷为90nC(标称值)。 FDMS039N08B的最大连续漏极电流为100A，最大脉冲漏极电流为400A;栅源电压为±20V;导通电阻在栅源电压为10V时为3.9mΩ(最大值);栅极电荷为100nC(最大值);反向恢复电荷为80nC(标称值)。 FDP020N06B的连续漏极电流为313A，最大脉冲漏极电流为1252A;栅源电压为±20V;导通电阻在栅源电压为10V时为2.0mΩ(最大值);栅极电荷为268nC(最大值);反向恢复电荷为194nC(标称值)。 FDP027N08B的最大连续漏极电流为223A，最大脉冲漏极电流为892A;栅源电压为±20V;导通电阻在栅源电压为10V时为2.7mΩ(最大值);栅极电荷为178nC(最大值);反向恢复电荷为112nC(标称值)。 所有产品的内置二极管均可进行软反向恢复。因此“与其他竞争公司的产品相比，可将缓冲电路产生的电压尖峰降低15%左右”(飞兆)。批量购买1000个时的美国参考单价方面，FDMS015N04B为1.78美元、FDMS039N08B为1.60美元、FDP020N06B为4.50美元、FDP027N08B为3.30美元。 | |
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