| GaN-on-GaN LED为中村修二赢得美“年度发明人”奖 | |
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硅谷知识产权法律协会(SVIPLA)每年一度的“年度发明人”大奖于昨日揭晓，获奖人中村修二以其在Soraa公司研发的GaN-on-GaN LED赢得该奖，主办方表示此技术为社会做出了“卓越的贡献”。 中村修二是著名的蓝光LED发明人，2000年加入加州大学圣塔芭芭拉分校(UCSB)，担任工程学院材料系教授，一直致力于具有知识产权技术的研发，截至目前，中村修二申请专利700多项，已获专利授权为360项。
Soraa公司成立于2008年，中村修二为创办人之一，今年2月，Soraa宣布推出自己的旗舰产品----被称为LED2.0技术的LED照明产品，即GaN-on-GaN LED。通常，LED制造是在蓝宝石或者硅基板上生长一层很薄的氮化镓(GaN)，而Soraa另辟蹊径，使用氮化镓作为基板，这减少了两层晶体结构之间的不匹配，通过这种方法生产的GaN-on-GaN LED可以使亮度提高10倍。利用这项技术，Soraa还推出了高性能的MR16灯为其首批产品。Soraa是世界领先的氮化镓开发商，开发了世界上第一个商业氮化镓LED产品。Soraa总裁兼CEO金炳国也资历显赫，过去曾担任韩国三星电子全球营销事业部门副总裁，同时也是英特尔第一位外聘的高级副总裁。 | |
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