2013 LED应用技术及市场发展论坛

发布日期：2013-07-03 来源：中国半导体照明网浏览次数：11

同期：第十五届中国国际光电博览会(CIOE)LED展

(中国·深圳会展中心 2013年9月4日-7日)

　　主办单位：

国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)

中国国际光电博览会组委会(CIOE)

　　支持单位：

中国科学技术部

中国科学技术协会

中国科学院

中国科学院光电研究院

　　承办单位:

国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)

中国国际光电高峰论坛办公室(CIOEC)

香港应用科技研究院

　　协办单位：

武汉光电国家实验室(筹)

深圳半导体照明产业促进会(SSAL)

重庆市LED照明研发与产业联盟

深圳市光学光电子行业协会

2013 LED应用技术及市场发展论坛以创新、发展、自主为主题。主要是为了提升产业的核心竞争力，提高自主创新能力，侧重市场、应用技术交流、以实用化为主，更好的促进LED供应商和行业客户之间的互动，搭建一个LED技术交流、资源分享、学术研究、难题攻关的产、学、研交流平台。本次论坛将与国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)合作举办主题为“第三代半导体材料的应用与发展”专题分会、将与香港应用科技研究院合作举办LED与OLED创新技术与应用研讨会。与CSA的合作无疑成为CIOE的又一重大亮点。

　　第三代半导体材料及应用发展国际研讨会

　　时间：

　　一、会议背景

新型半导体材料的研究和突破，常常推动新的技术革命和产业变革，甚至催生新的产业群。以Si和GaAs为代表的传统半导体材料的高速发展推动了微电子、光电子技术的迅猛发展。然而，受材料本身性能所限，用这些材料制成的器件大都只能在200℃以下的环境下工作，且抗辐射、耐高电压性能以及发射可见光范围都不能满足现代电子技术发展对高温、高频、高压以及抗辐射、能发射蓝光等提出的新要求。而以GaN、SiC、金刚石为代表的宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、介电常数小、抗辐射能力强、良好的化学稳定性等独特的性能，使其在光电器件、高频大功率、高温电子器件等方面倍受青睐，近10年获得了高速的发展。由于其在信息存储、照明显示、电力电子以及医疗和军事等领域有着广阔的应用前景，并将预示着光电信息乃至光子信息时代的来临，因此，以半导体照明典型应用突破口的第三代半导体材料同时也被誉为光电子和微电子等产业新的发动机。

第三代半导体材料及器件不仅可形成上千亿美元相关设备、系统的新产业的形成，还将在能源节约、电能利用率等方面具有重大意义。半导体照明是第三代半导体材料技术创新和市场应用的突破口之一，目前已在半导体照明领域显现出了巨大的市场潜力。近几年，世界各国政府有关机构、相关企业、以及投资公司纷纷加大了对第三代半导体材料及其器件的投入和支持，启动了大规模的GaN基光电器件商用开发计划。一些具有前瞻性的风险投资机构也密切关注该领域并加大了投资力度。我国政府也高度重视第三代半导体材料的研究与开发，从2004年开始对第三代半导体领域的研究进行了部署，启动了一系列重大研究项目，2013年科技部在863计划新材料技术领域项目征集指南中明确将第三代半导体材料及应用列为重要内容。

为了促进我国第三代半导体材料核心技术研发及在相关应用领域的产业化，开展创新应用技术研发和示范，提升我国第三代半导体材料及应用相关产业的国际竞争力，帮助企业把握新兴产业发展的契机，实现创新驱动发展，引领中国光电产业发展，国家半导体照明工程研发及产业联盟将于2013年9月5日第十五届中国国际光电博览会期间举办“首届第三代半导体材料及应用发展国际研讨会”，邀请研发机构、企业及用户单位共聚一堂，互动交流，共同探讨第三代半导体照明材料的发展现状、趋势及前景。

　　二、组织机构

　　主办单位：

国家半导体照明工程研发及产业联盟

中国国际光电博览会组委会(CIOE)

　　三、论坛内容

研发机构、企业和应用单位共同交流探讨：

1、第三代半导体材料国内外研究进展及重点方向;

2、第三代半导体材料的应用、需求及发展趋势;

3、各国政府及跨国企业对于第三代半导体材料的发展部署;

4、第三代半导体材料的投资价值和机会分析。

　　四：日程安排（拟）