英国普莱塞半导体(Plessey Semiconductors)宣布推出其基于硅基氮化钾制造平台的产品。新产品在420mA的条件下可以提供350mW的辐射功率。
早在今年4月，普莱思就宣布将推出可论证硅基氮化镓技术的PL111010LED产品，这些新型LED产品可通过高达1A的连续电流和2A的脉冲电流进行驱动。新产品的功率也高于此前普莱塞的硅基LED设备，可用于一般的固态照明领域。
虽然目前尚无法得知普莱思为何仅推出此新型LED设计的蓝色版本，可以肯定的是该设备可用于远程磷光体应用。435–460nm主波长范围类似于主要LED制造商针对远程SSL产品推出的宝蓝色LED;该公司并未表示接下来是否会推出此新型LED的白色磷光体转换版本。
GaN-on-Si的魅力在于，利用更低廉、普遍可用的硅晶片和自动化后端制造工具，可以生产出成本更低的LED。
普莱塞首席运营官巴里·丹宁顿(Barry Dennington)表示，“新型350mW产品验证了我们在集成电路生产线上制造6英寸硅基氮化镓LED的固有灵活性。我们的产品在输出效率上取得了持续改进，未来我们将推出更多更优质的新产品”。
