新罕布什尔州，纳舒厄，2013年7月8日—GT Advanced Technologies(纳斯达克：GTAT)今天推出其新型SiClone(TM) 100碳化硅(SiC)生产炉。 SiClone100采用升华生长技术，能生产出高品质的半导体SiC晶体块，可最终制成最大直径为100毫米的芯片。 在其初步阶段，SiClone100主要针对本身已经拥有热场、合格的晶体块生产配方及正准备开始量产的客户。
GT的总裁兼首席执行官Tom Gutierrez表示：“GT新推出的SiClone100炉将解决电力电子行业对更高品质SiC材料的需求，这些材料将用于生产先进的高功率及高频设备。 SiClone100为我们的SiC产品蓝图奠定坚实基础，根据蓝图我们预计在未来向客户提供可生产八英寸SiC芯片的完整生产环境，包括配方、热场及耗材。”
GT利用其在晶体生长技术领域深入的专业知识，为正在寻求“从实验室向工厂转化”的客户提供高度可靠及经验证的平台，帮助客户开始量产SiC晶体块。 SiClone100炉装备有最先进的控制系统，通过将炉电子与人机界面(HMI)相结合，实现生长过程的自动化。 SiClone100采用底部灌装设计，从而令热场灌装变得简单。 控制系统为用户带来更大的灵活性，用户可根据需要制定过程配方及控制生产参数，例如温度、剖面、斜度及气流，从而改善持续运行的控制重复性，最终降低制造成本。 GT的现场工程师及支援团队将帮助客户快速启动量产。
本公司继续预计SiC炉的销售情况将仅占其2013历年收入的1%以下，并预计2014年及之后的SiC炉收入情况将会逐步好转，原因是新电力设备有关的设计周期较长。
