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首尔半导体投入GaN-on-GaN制程 nPola产品将面市

放大字体  缩小字体 发布日期:2013-10-25 来源:LEDinside浏览次数:31

 韩国LED封装大厂首尔半导体积极投入GaN-on-GaN制程,以GaN-on-GaN制程为核心的nPola产品比传统蓝宝石基板LED在同样面积上的效率是5-10倍,首尔半导体指出,nPola产品即将推出,其中,首尔半导体的nPola UV产品目前已有送件给一线客户,预计推出时间将在2014年。

 首尔半导体(SEOUL SEMICONDUCTOR)2012年发表的nPola产品具有采用非极性(non-polar)技术,大大提高发光效率,相较于目前的LED,在相同面积上的亮度高出5倍等特点,nPola利用GaN-on-GaN的材料优势,除了在相同面积的亮度大为提升外,同时能有效减少缺陷,其缺陷密度达1/10000,在光衰的表现上也较传统LED表现佳,根据首尔半导体2013年10月22日举行LED照明应用研讨会时透露,nPola产品即将推出。

 而nPola UV LED产品也备受市场关注,继日本LED大厂日亚化、美国LED大厂SemiLEDs在UV LED耕耘多年,首尔半导体也积极抢进UV LED市场,特别看好将UV LED搭配RGB萤光粉应用于白光的市场。

 首尔半导体认为,传统蓝光LED涂布黄色或是红色萤光粉所限制了能提高CRI(演色性)的R9和R15表现,采用首尔半导体的nPola UV LED涂布RGB萤光粉产品,在R1到R15的显色指数都能达到95以上。目前nPola UV LED产品已有送样至国际大厂客户,预计推出时间落在2014年。

 
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